FGA25N120ANTDTU中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

FGA25N120ANTDTU

厂商名称：ON安森美

元件分类：IGBT管

中文描述：

IGBT,25A,2.5V,312W,1.2kV,TO-3P,3引脚

英文描述：

IGBT N-Ch 1200V 50A NPT Trench TO3PN Fairchild FGA25N120ANTDTU,50 A 1200 V,1MHz,3-Pin TO-3P

数据手册：

在线购买：立即购买

FGA25N120ANTDTU概述

FGA25N120ANTD是采用通孔TO-3P封装的1200V、25A NPT沟槽IGBT。IGBT提供卓越的传导、开关性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。该器件非常适合谐振或软开关应用。

集电极发射极电压VCES为1.2KV

25°C时的集电极电流为50A

二极管在25°C时的连续正向电流为50A

工作结温范围为-55°C至150°C

25°C时的最大功耗为312W

在IC=50 A时，集电极到发射极的饱和电压为2.65V

IF=25A时的最大二极管正向电压为3V

二极管峰值反向恢复电流为40A

FGA25N120ANTDTU中文参数

制造商:onsemi

产品种类:IGBT晶体管

技术:Si

封装/箱体:TO-3P-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

Pd-功率耗散:312 W

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

系列:FGA25N120ANTD

封装:Tube

商标:onsemi/Fairchild

集电极连续电流:25 A

集电极最大连续电流Ic:50 A

栅极—射极漏泄电流:+/-250 nA

高度:18.9 mm

长度:15.8 mm

FGA25N120ANTDTU引脚图